목차 일부

1장 총론-차세대 LSI 공정에서의 CMP의 역할 ... 1
   1.1 진공관으로부터 IC 그리고 LSI까지의 과정 ... 1
   1.2 LSI는 지금 평탄화 CMP를 필요로 한다 ... 3
   1.3 평탄화 수법과 CMP ... 7
   1.4 CMP의 적용 공정과 요구 조건 ... 10
      1.4.1 CMP의 적용 공정의 기본 ... 12
...

더보기

목차 전체

1장 총론-차세대 LSI 공정에서의 CMP의 역할 ... 1
   1.1 진공관으로부터 IC 그리고 LSI까지의 과정 ... 1
   1.2 LSI는 지금 평탄화 CMP를 필요로 한다 ... 3
   1.3 평탄화 수법과 CMP ... 7
   1.4 CMP의 적용 공정과 요구 조건 ... 10
      1.4.1 CMP의 적용 공정의 기본 ... 12
      1.4.2 CMP에 대한 요구 항목 ... 19
   1.5 결론 ... 21
   참고문헌 ... 23
2장 초정밀 가공기술과 CMP의 기초 - CMP의 위치 부여와 CMP가공 mechanism ... 25
   2.1 서론 ... 25
   2.2 CMP에 대한 요구 사항 ... 27
   2.3 각종 초정밀 가공법과 가공의 mechanism ... 28
      2.3.1 각종의 거울 면 연마법의 발전의 흐름 ... 28
      2.3.2 연마 가공의 mechanism ... 33
   2.4 CMP의 여러 가지 요인 ... 39
   참고문헌 ... 46
3장 CMP의 요소기술 ... 49
   3.1 CMP의 장치화 기술 ... 49
      3.1.1 기본 설계 개념 ... 50
      3.1.2 공정 parameter와 기본 장치 구성 ... 53
      3.1.3 고 정밀도화를 위한 기본적 항목 ... 56
      3.1.4 생산성의 향상 - 가공 head 수의 차이로 보면 ... 69
      3.1.5 결론 ... 73
   3.2 품위와 능률을 좌우하는 슬러리 ... 73
      3.2.1 슬러리의 기초화학 ... 84
      3.2.2 슬러리의 분류와 제조법 ... 86
      3.2.3 CMP용 대상 재료별 슬러리 ... 91
      3.2.4 CMP용 슬러리의 과제 ... 96
   3.3 평탄화 정밀도를 결정하는 연마 패드 ... 96
      3.3.1 CMP의 기본 원리로부터 본 패드와 그 거동 ... 96
      3.3.2 패드의 요건과 분류 ... 99
      3.3.3 패드의 물성 측정 방법 ... 106
      3.3.4 현재 CMP에 활용되고 있는 각종 패드와 특성 ... 107
      3.3.5 패드의 개량에 대하여 ... 110
   3.4 CMP 후 세정 공정 ... 114
      3.4.1 서론 ... 114
      3.4.2 CMP 후 세정 기술 ... 115
      3.4.3 세정 장치의 종류 ... 120
      3.4.4 CMP 후 세정 장치의 실제 예 ... 122
      3.4.5 CMP 후 세정의 실제 예 ... 125
      3.4.6 결론 ... 132
   3.5 CMP 도중 계측과 평가 기술 ... 133
      3.5.1 서론 ... 133
      3.5.2 CMP 도중 계측과 공정 종류별 관계 ... 134
      3.5.3 각종 CMP 도중 계측 기술 ... 137
      3.5.4 결론 ... 146
   참고문헌 ... 147
4장 디바이스에 적용 사례 ... 153
   4.1 Logic 디바이스에 적용 ... 153
      저유전율 절연막의 평탄화 기술 ... 153
        4.1.1 서론 ... 153
        4.1.2 저유전율 절연막과 평탄화의 역할 ... 154
        4.1.3 배선 형성 공정과 평탄화 ... 156
        4.1.4 저유전율 절연막 재료의 종류와 특성 ... 159
        4.1.5 저유전율 재료의 CMP ... 162
        4.1.6 유기 SOG막의 CMP와 다층 배선에의 응용 ... 163
        4.1.7 결론 ... 170
      logic ULSI 기초기술에의 응용 ... 170
        4.1.8 서론 ... 170
        4.1.9 logic ULSI에 있어서의 층간 절연막 CMP ... 175
        4.1.10 logic ULSI에서의 metal CMP ... 179
        4.1.11 logic ULSI의 Shallow Trench 분리 CMP ... 185
        4.1.12 결론 ... 186
   4.2 Memory 디바이스에 적용 ... 187
      4.2.1 서론 ... 187
      4.2.2 DRAM에 적용 예 ... 189
      4.2.3 CMP 기술의 DRAM 적용에 있어서의 장점 ... 194
      4.2.4 공정 기술로서의 앞으로의 과제 ... 198
      4.2.5 결론 ... 201
   4.3 차세대 배선 기술 ... 202
      4.3.1 서론 ... 202
      4.3.2 LSI 다층배선의 종래의 공정과 metal CMP를 이용한 새로운 공정 ... 205
      4.3.3 metal CMP법의 실제와 metal 배선 공정에의 응용 ... 210
      4.3.4 결론 ... 235
   4.4 SOI 디바이스에 응용 ... 236
      4.4.1 서론 ... 236
      4.4.2 CMP 기술과 SOI 기판 ... 238
      4.4.3 접착 SOI IC와 CMP ... 245
      4.4.4 디바이스 반전 SOI IC와 CMP ... 251
      4.4.5 유전체 분리 IC와 CMP ... 257
      4.4.6 결론 ... 260
   참고문헌 ... 260
5장 CMP의 장래 ... 269
   5.1 CMP 기술의 등장 ... 269
   5.2 CMP 기술의 어려움 ... 271
   5.3 연마를 전제로 한 기술 개량 ... 272
   5.4 고정 연마 입자 연마에 의한 CMP의 가능성 ... 274
   5.5 정밀 연삭에 의한 평탄화 가공 ... 275
   5.6 결론 ... 276
찾아보기 ... 279

더보기 닫기