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Effects of Ultra-Thin Germanium Layers at the Silicon-Oxide Interface During Oxidation Reactions on Injection of Interstitials

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자료유형학위논문
서명/저자사항Effects of Ultra-Thin Germanium Layers at the Silicon-Oxide Interface During Oxidation Reactions on Injection of Interstitials.
개인저자Martin, Thomas P., Jr.
단체저자명University of Florida. Materials Science and Engineering.
발행사항[S.l.]: University of Florida., 2017.
발행사항Ann Arbor: ProQuest Dissertations & Theses, 2017.
형태사항158 p.
기본자료 저록Dissertation Abstracts International 79-11B(E).
Dissertation Abstract International
ISBN9780438121218
학위논문주기Thesis (Ph.D.)--University of Florida, 2017.
일반주기 Source: Dissertation Abstracts International, Volume: 79-11(E), Section: B.
요약It is well known that the oxidation of silicon will inject interstitial atoms into the bulk, causing various effects such as OED and OSF. The presence of germanium at this oxidizing interface has long been known to suppress this interstitial inj
일반주제명Nanotechnology.
언어영어
바로가기URL : 이 자료의 원문은 한국교육학술정보원에서 제공합니다.

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