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Scaling and Design of Thin Film Ferroelectric Hafnium Oxide for Memory and Logic Devices

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자료유형학위논문
서명/저자사항Scaling and Design of Thin Film Ferroelectric Hafnium Oxide for Memory and Logic Devices.
개인저자Walters, Glen Harris.
단체저자명University of Florida. Electrical and Computer Engineering.
발행사항[S.l.]: University of Florida., 2020.
발행사항Ann Arbor: ProQuest Dissertations & Theses, 2020.
형태사항171 p.
기본자료 저록Dissertations Abstracts International 82-06B.
Dissertation Abstract International
ISBN9798698594918
학위논문주기Thesis (Ph.D.)--University of Florida, 2020.
일반주기 Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 82-06, Section: B.
Advisor: Nishida, Toshikazu.
이용제한사항This item must not be sold to any third party vendors.
일반주제명Electrical engineering.
Ferroelectrics.
CMOS.
Semiconductors.
Thin films.
언어영어
바로가기URL : 이 자료의 원문은 한국교육학술정보원에서 제공합니다.

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