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Spin-Dependent Quantum Transport in Epitaxial BaTiO3-Germanium Tunnel Junctions

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자료유형학위논문
서명/저자사항Spin-Dependent Quantum Transport in Epitaxial BaTiO3-Germanium Tunnel Junctions.
개인저자Jia, Yichen.
단체저자명Yale University. Electrical Engineering.
발행사항[S.l.]: Yale University., 2020.
발행사항Ann Arbor: ProQuest Dissertations & Theses, 2020.
형태사항218 p.
기본자료 저록Dissertations Abstracts International 83-03B.
Dissertation Abstract International
ISBN9798538102846
학위논문주기Thesis (Ph.D.)--Yale University, 2020.
일반주기 Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 83-03, Section: B.
Advisor: Ahn, Charles H.
이용제한사항This item must not be sold to any third party vendors.
일반주제명Condensed matter physics.
Quantum physics.
Materials science.
Silicon.
Lifetime.
Electrodes.
Semiconductors.
Experiments.
Magnetic fields.
Conductivity.
Electric fields.
Sensors.
Applied physics.
Molecular beam epitaxy.
CMOS.
Advisors.
Transistors.
Boundary conditions.
Thin films.
Geometry.
언어영어
바로가기URL : 이 자료의 원문은 한국교육학술정보원에서 제공합니다.

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